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TIP142G中文资料

TIP142G图片

TIP142G外观图

  • 大小:91.1KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2V; Power Dissipation, Pd:125W; DC Current Gain Min (hfe):500; Package/Case:TO-218 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 40mA,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大):2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 5A,4V
  • 功率 - 最大:125W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-218-3
  • 供应商设备封装:SOT-93
  • 包装:管件
  • 其它名称:TIP142GOS

TIP142G供应商

更新时间:2023-01-07 20:14:30
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